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安晟1600℃三温区管式高温炉三个数字温度控制器可独立控制温度,并可设置30段升降温程序,温区1(加热区中心)采用硅钼棒加热,另外两个温区用硅碳棒进行加热,此款管式炉可以形成一个温度梯度,调整三个温区的温度,在热梯度下制备功能材料,同时也适用于CVD法制作薄膜外延生长。炉体采用双层壳体结构,并带有风冷系统,使得壳体的表面温度小于60度,炉膛的保温材料采用高纯氧化铝,环保节能,可以减少热量的损失,内炉膛表面涂有高温氧化铝涂层可以提高设备的加热效率,同时也可以延长仪器的使用寿命。
安晟1600℃三温区管式高温炉三温区真空气氛管式炉主要应用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之用。用于电子陶瓷产品的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积(CVD)工艺等。
工作温度 | 1600℃ |
最高温度 | 1700℃(可选择) |
加热区 | 总温区长度630 mm 温区1:190 mm由硅碳棒加热,工作温度800 - 1400°C 温区 2:250 mm 由硅钼棒MoSi2 进行加热,工作温度 800 - 1600°C 温区3:190 mm 由硅碳棒SiC进行加热,工作温度800 - 1400°C |
真空密封系统 | 仪器标配中有一套不锈钢真空密封法兰,出气和进气端都安装有不锈钢截止阀,真空度:10-2 torr (用机械泵 );10-5 torr(用分子泵 ) |
炉管尺寸 | Φ60*1200mm(更多规格可根据用户需求定制) |
温控方式 | 30段PID微电脑可编程自动控制 |
控温精度 | ± 1℃ |
温控保护 | 具有超温及断偶报警功能 |
加热速率 | 0~20 ℃ / 分 |
加热元件 | 硅钼棒,硅碳棒 |
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