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更新时间：2021-08-30 
浏览次数：583快速退火炉是现代大范围集成电路消费工艺过程中的关键配备。主要用于离子注入后杂质的激活、浅结制造、生长高质量的氧化膜层和金属硅化物合金构成等工艺。随着集成电路工艺技术的飞速开展，展开快速退火炉系统的技术研讨，对国内开发和研讨具有自主学问产权的快速退火炉配备，有着非常重要的理论意义和工程应用价值。
公司针对现代半导体器件退火工艺对快速退火炉系统的技术请求，在综合剖析国内外各种快速退火沪系统技术根底上，经过深化的剖析研讨，设计了系统总体技术计划。拟定采用灯光辐射型热源安装，上下两排成正交的灯管组对位于其中间的半导体硅片停止直接加热完成温度的快速上升，以单点测温作为温度丈量的处理计划作为系统总体计划。
依据热传导根本理论，以完成系统总体技术指标作为己知参数计算得到系统所需求的热功率，在此根底上完成热源与反响腔体、冷却系统、送气系统等部件的设计。经过剖析影响硅片外表温度边缘效应的要素，提出灯管分区及分区控制的设计计划，完成硅片外表温度的平均性。
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